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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光學(xué)無(wú)源器件晶體/棱鏡/窗片LilnSe2-LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體窗片

LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體窗片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體窗片
LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體通過(guò)定向凝固生長(zhǎng)單晶。典型的生長(zhǎng)晶體長(zhǎng)約 20 毫米,直徑約 10 毫米,呈深紅色。晶格常數(shù)被確定為a = 7.218 埃, b= 8.441 Å,c = 6.772 Å,粉末 X 射線衍射。通過(guò)差熱分析確定熔點(diǎn)為904℃。LiInSe 的能帶隙2在室溫下,

產(chǎn)品型號(hào):LilnSe2-
更新時(shí)間:2024-12-04
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問(wèn)量:1527
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品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域綜合
透光率0.43-13.2

LISe  硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體窗片


產(chǎn)品總覽

LISe  硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體通過(guò)定向凝固生長(zhǎng)單晶。典型的生長(zhǎng)晶體長(zhǎng)約 20 毫米,直徑約 10 毫米,呈深紅色。晶格常數(shù)被確定為a = 7.218 埃, b= 8.441 ?,c = 6.772 ?,粉末 X 射線衍射。通過(guò)差熱分析確定熔點(diǎn)為904℃。LiInSe 的能帶隙2在室溫下,通過(guò)光傳輸測(cè)量估計(jì)為 1.88 eV。典型的室溫電阻率為 2.67 × 1011 Ω cm 具有 n 型電導(dǎo)率。

雙軸硒化鋰銦(LiInSe 2或 LISe)非線性光學(xué)晶體的光譜透明度范圍和高雙折射使人們能夠?qū)崿F(xiàn)所有廣泛使用的中紅外激光器的倍頻。它們的效率與AgGaS 2 晶體的效率相同,是LiInS 2晶體的效率的兩倍。LiInSe 2晶體的優(yōu)勢(shì)在于可以創(chuàng)建由近紅外固態(tài)激光器(特別是 Nd:YAG 激光器)輻射泵浦的中紅外參量光振蕩器,其效率比 AgGaS 2高一倍以上和 LiInS使用了2個(gè)晶體。還值得注意的是,LiInSe 2 晶體在飛秒脈沖頻率轉(zhuǎn)換方面的潛在優(yōu)勢(shì)超過(guò)了所有已知晶體,無(wú)論是在中紅外區(qū)域,還是在飛秒 Ti:藍(lán)寶石和 Cr:鎂橄欖石激光的輻射直接轉(zhuǎn)換到中紅外區(qū)域.




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