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當(dāng)前位置：首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測(cè)器 200MHz WL-DPD200MA

銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測(cè)器 200MHz WL-DPD200MA

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測(cè)器 200MHz WL-DPD200MA

DPD200MA是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“雙平衡")光接收器。它具有高跨阻增益、低噪聲和大于200MHz的-3dB帶寬。可以通過(guò)兩個(gè)專(zhuān)用顯示輸出獨(dú)立測(cè)量?jī)蓚€(gè)光接收器的功率。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

訪問(wèn)量：1176

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類(lèi)

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測(cè)器 200MHz WL-DPD200MA

DPD200MA是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“雙平衡")光接收器。它具有高跨阻增益、低噪聲和大于200MHz的-3dB帶寬。可以通過(guò)兩個(gè)專(zhuān)用顯示輸出獨(dú)立測(cè)量?jī)蓚€(gè)光接收器的功率。

DPD200MA采用堅(jiān)固的鋁制外殼，配有兩個(gè)光纖接收器和一個(gè)5050 ? SMA輸出。它采用11–15 V DC單電源供電。

光譜響應(yīng)

1000-1700nm

帶寬(Hz)

200 MHz

技術(shù)參數(shù)

特征

高跨阻增益:

7500 V/W (1550nm)

帶寬:200 MHz

直流耦合

2個(gè)顯示器輸出(未校準(zhǔn))

波長(zhǎng)范圍:1000nm至1700nm

光纖耦合:光纖通道接收器

輸出: 50 ? SMA插頭

寬范圍單電源:11至15 V

典型應(yīng)用

干涉測(cè)量法

光學(xué)相干斷層成像

激光雷達(dá)

可單端使用

機(jī)械性能

光纖耦合: 適用于FC/PC和FC/APC連接器的FC插座

射頻和顯示器輸出:SMA

電源電壓輸入:推挽式LEMO插頭(包括二極管)

小尺寸:80×60×20mm

安裝:底部4 x M2.5螺紋孔(螺釘長(zhǎng)度4mm)

電連接器

positive supply

搜狗截圖20210915092011.png

supply ground

電源連接器(前視圖)。外殼接地。

供電電纜有兩種，一種是2線，一種是5線。這些電纜對(duì)應(yīng)的配色方案是:

參數(shù)	條件	最小值	典型值	最大值	單位
直流電輸入
電源電壓(VS) 電源電流		11	12 100	15 160	V mA
主射頻輸出
-3dB帶寬		240	265	290	MHz
輸出阻抗			50		?
輸出電壓范圍噪聲頻譜密度	50 ? < 100MHz		-131	±4 ±2	V V dBm/Hz
	100–1000MHz		-128		dBm/Hz
	> 1GHz			-150	dBm/Hz pW/√Hz
噪聲等效功率	0 MHz–100MHz，1550nm		7
光學(xué)特性
輸入波長(zhǎng)范圍		1000		1700	nm
跨阻增益	波長(zhǎng)1550nm		15 000		v/Wopic
跨阻增益			7 500		v/Wopic
共模抑制比		20	30		dB
最大輸入功率	(損壞閾值)	15			mW
監(jiān)控輸出
3dB帶寬			150		kHz
輸出阻抗			2		k?
最大值輸出電壓		8		VS	V
責(zé)任1(請(qǐng)具體說(shuō)明)	1550nm	0.4	0.5	20	V/mWopt