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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器MCT碲鎘汞探測(cè)器

  • MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-16μm 中紅外光浸沒(méi)式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):
    瀏覽量:1570
  • 三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-3TE系列應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應(yīng)。

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):
    瀏覽量:1465
  • MCT-PVI-3-1×12.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列

    2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列 PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器,采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高器件的性能參數(shù),使其具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。

    更新時(shí)間:2025-09-03
    產(chǎn)品型號(hào):MCT-PVI-3-1×1
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  • 1-15μm MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-15μm MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器, 三級(jí)熱電冷卻 PC-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時(shí)達(dá)到最佳性能。

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • MCT-PCQ-10.6-1×11-12um 非冷卻 光電導(dǎo)型 MCT象限探測(cè)器

    1-12um 非冷卻 光電導(dǎo)型 MCT象限探測(cè)器 PCQ是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光導(dǎo)象限探測(cè)器,具有極gao的性能和穩(wěn)定性。象限探測(cè)器由四個(gè)獨(dú)立的有源元件組成,它們排列在一個(gè)象限幾何圖形中。探測(cè)器在10.6 μm時(shí)性能佳。探測(cè)器應(yīng)在z佳偏置電壓和電流讀出模式下工作,由于1/f噪聲,探測(cè)器在低頻率下的性能會(huì)降低。PCQ探測(cè)器的主要應(yīng)用是激光光束輪廓測(cè)量和定位。

    更新時(shí)間:2025-08-22
    產(chǎn)品型號(hào):MCT-PCQ-10.6-1×1
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